22 تیر 1399
فريبرز رحيمي

فریبرز رحیمی

مرتبه علمی: استادیار
نشانی:
تحصیلات: دکترای تخصصی / مهندسی برق-کنترل و مهندسی پزشکی
تلفن:
دانشکده: دانشکده فنی و مهندسی
گروه: گروه مهندسی برق

مشخصات پژوهش

عنوان
طراحی و شبیه سازی بیوسنسور مبتنی بر ترانسیستور اثر میدان حساس به یون با کمک میکروسیالات
نوع پژوهش پایان نامه
کلیدواژه‌ها
بیوسنسور، ترانسیستور اثر میدان، میکروسیالات
پژوهشگران امیر آزادی (دانشجو)، عبدالله علیزاده (استاد راهنمای اول)، رضا حاج آقا وفائی (استاد راهنمای دوم)، فریبرز رحیمی (استاد مشاور)

چکیده

با توجه به افزایش روزافزون نیاز به تراشه هایی که با ابعاد کوچک، استفاده از فناوری های جدید در ساخت ترانزیستورها به عنوان جزء اصلی تراشه ضروری بنظر میرسد.نانو تکنولوژی و الکترونیک مولکولی، روشی نوین برای ساخت ترانزیستور در ابعاد کوچت است.