رضا عبدی قلعه

در این پایان نامه ساختارهای چند لایه ای متشکل از لایه های گرافن، نیمه رسانای ایندیوم آنتی مونید (InSb)، فلز آلومینیوم(Al)، و دی الکتریک سیلیکون کربید (SiC) در نظر گرفته شده است. همه ساختارها تحت اثر میدان مغناطیسی استاتیک خارجی در امتداد جهت انتشار نور قرار دارند. در ابتدا، طیفهای رسانندگی اپتیکی گرافن و طیفهای ثابت های دی الکتریک لایه های InSb و Al در ناحیه ی فرکانسی تراهرتز ارائه میشوند. سپس با استفاده از روش ماتریس انتقال4×4، طیفهای بازتاب، چرخش کِر و بیضی گونگی ساختارهای چند لایه ایGraphene/SiC ، Graphene/SiC/Al، Graphene/SiC/InSb/SiC/Al مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج نشان میدهند که استفاده از لایه ی آلومینیوم به عنوان آخرین لایه ی ساختار، ضریب بازتاب را در چند فرکانس خاص افزایش میدهد.همچنین، استفاده از نیمه رسانای InSb شرایط بهتری برای کنترل پارامترهای خروجی مگنتواپتیکی فراهم می آورد. در نهایت اثر تغییرات میدان مغناطیسی خارجی و دمای محیط در طیف های مورد نظر بررسی شده است.