طراحی و شبیه سازی بیوسنسور مبتنی بر ترانسیستور اثر میدان حساس به یون با کمک میکروسیالات، انجام شده توسط عبدالله علیزاده

مشخصات پژوهش

عنوان	طراحی و شبیه سازی بیوسنسور مبتنی بر ترانسیستور اثر میدان حساس به یون با کمک میکروسیالات
نوع پژوهش	پایان نامه
کلیدواژه‌ها	بیوسنسور، ترانسیستور اثر میدان، میکروسیالات
پژوهشگران	امیر آزادی (دانشجو)، عبدالله علیزاده (استاد راهنمای اول)، رضا حاجی آقائی وفائی (استاد راهنمای دوم)، فریبرز رحیمی (استاد مشاور)

چکیده

با توجه به افزایش روزافزون نیاز به تراشه هایی که با ابعاد کوچک، استفاده از فناوری های جدید در ساخت ترانزیستورها به عنوان جزء اصلی تراشه ضروری بنظر میرسد.نانو تکنولوژی و الکترونیک مولکولی، روشی نوین برای ساخت ترانزیستور در ابعاد کوچت است.