بلورهای فوتونی یک بعدی متشکل از لایه های دی الکتریک و گرافن در ناحیه فرکانسی تراهرتز مطالعه شدند. طیفهای تراگسیلی ساختارهای تناوبی بدون لایه نقص، شامل تک لایه و دو لایه نقص مورد بررسی قرار گرفتند. نتایج نشان میدهند که طیف تراگسیلی ساختار تناوبی بدون لایه ی نقص شامل دو ناحیه گاف باند فوتونی است، ولی در ساختارهای شامل لایه نقص، مدهای نقص یگانه و دوگانه درون این گاف ها ایجاد میشوند. برای قطبشهای TE و TM، رفتار مدهای نقص با تغییرات پتانسیل شیمیایی گرافن و زاویه فرودی بررسی شدند. مشاهده شد که با افزایش پتانسیل شیمیایی و زاویه ی فرودی مدهای نقص به سمت فرکانسهای بالاتر جابجا شدند و شدت مدهای نقص کاهش یافتند.
