در این مقاله جابجایی گوس-هِنشِن در عبور باریکه گاوسی با قطبش TM از بلور فوتونی حاوی لایه نقص بررسی شده است. لایه نقص مورد نظر یک ساختار لایهای ناهمسانگرد فراماده هایپربولیک گرافن پایه است که با استفاده از تئوری محیط موثر به صورت محیطی همگن با ضریب دی الکتریک موثر در نظر گرفته میشود. مطالعه با استفاده از روش ماتریس انتقال انجام شده است. نتایج نشان میدهند با اضافه کردن لایه نقص به چیدمان بلور فوتونی مورد نظر میزان جابجایی جانبی پرتو عبوری از بلور فوتونی در فرکانس مربوط به مد نقص که داخل باند گاف وجود دارد، افزایش مییابد و میزان این جابجایی با تغییر پتانسیل شیمیایی تک لایه های گرافن قابل تنظیم است.
