لورهای فوتونی یک بعدی متشکل از لایههای دیالکتریک و گرافن در ناحیه فرکانسی تراهرتز مطالعه شدند. طیفهای تراگسیلی ساختارهای تناوبی بدون لایه نقص، شامل تک لایه و دو لایه نقص مورد بررسی قرار گرفتند. نتایج نشان میدهند که طیف تراگسیلی ساختار تناوبی بدون ی لاهی نقص شامل دو ناحیه گاف باند رفتار مدهای نقص با ، TM و TE فوتونی است، ولی در ساختارهای شامل لایه نقص، مدهای نقص یگانه و دوگانه درون این گافها ایجاد میشوند. برای قطبشهای تغییرات پتانسیل شیمیایی گرافن و زاویه فرودی بررسی شدند. مشاهده شد که با افزایش پتانسیل شیمیایی و زاویهی فرودی مدهای نقص به سمت فرکانسهای بالاتر جابجا میشوند و شدت مدهای نقص کاهش مییابند.
