در این مقاله طیفهای بازتاب و چرخش کر ساختار چند لایهای متشکل از گرافن، ایندیم آنتیمونید، کربید سیلیکون و آلومینیم در ناحیهی فرکانسی تراهرتز مطالعه شده است. ساختار مورد بررسی به صورت Graphene/SiC/InSb/SiC/Al است و کل ساختار تحت اثر میدان مغناطیسی استاتیک خارجی قرار دارد. برای به دست آوردن طیفها از روش ماتریس انتقال 4×4استفاده شده و تأثیر شدت میدان مغناطیسی خارجی و دمای محیط بر روی طیفهای مذکور بررسی شده است. نتایج نشان میدهند که برای به دست آوردن ضریب بازتاب تشدیدی به همراه چرخش کر تقویت شده میتوان هر دو عامل شدت میدان مغناطیسی و دمای محیط را با هم تنظیم نمود.
