در ای ن مقاله، خواص مدهای نقص فوتونی در ی ک بلو ر فوتونی ی کبعدی ساخته شده از لای ههای متناوب محی ط د ی الکتری ک همسانگرد با یک لایه نقص مرک زی متشکل از یک محیط کا یرا لساختاری با استفاده از روش ماتر یس انتقال بررسی شده است. ماده 42 است. نتایج نشان م یدهد که ساختار پیشنهادی دار ا ی یک گا ف باند فوتونی m در کایرا لساختاری دار ای تقارن گروه نقطها ی ناحیه اپتیکی است. همچنین چهار مد نقص در گاف باند فوتون ی مربوطه قابل مشاهد هاست که ناشی از شکستن تناوب شبکه بلو ر فوتونی است. نشان داده شد هاست که زاویه خمش م یتواند تعداد و موقعیت این مدهای نقص را در طیف عبور ساختار تغییر دهد .
