در این مقاله انتشار امواج الکترومغناطیسی از یک بلور فوتونی یک بعدی حاوی مواد نانوکامپوزیت کایرالساختاری شبه همسانگرد الکترواپتیکی در غیاب و همچنین در حضور میدان الکتریکی با فرکانس پایین بررسی شده است. در غیا ب ولتاژ اعمال شده و نانوذرات فلزی ، یک گاف باند فوتونی مستقل از قطبش دایروی در طیف عبور ایجا د م یشود. در حضور ولتاژ اعمال شده، ای ن گا ف باند فوتونی به ی ک گاف باند فوتونی حساس به قطبش دایروی تبدیل م یشود. همچنین نشان داده شدهاست که ولتاژ اعما ل شده باعث افزایش عرض ا ین گاف باند میشود. علاوه بر این ، ولتاژ اعمال شده م یتواند یک گاف باند فوتونی جدید را که مستقل از قطبش است، حتی زمانی که چنی ن گا ف باندی در غیا ب میدان الکتر یکی با فرکانس پ ایین وجود ندارد، باز کند . همچنین ما اثر نانوذرات فلزی را نیز در طیف عبور این ساختار بررسی کردیم و نشان دادیم که یک گاف باند جدید مستقل از قطبش و ولتاژ در طیف عبور ساختار خلق م یشود که ناشی از تحریک پلاسمو نهای سطحی بوده و موقعیت آن وابسته به جنس نانوذرات جابجا م یشود.
