در این مقاله، کنترل الکتریکی جابه جایی جانبی پرتو های بازتابی ازیک بره نانو کامپوزیت کایرال ساختاری شبه همسانگردبه صورت نظری بررسی شده است. این محیط ازیک مادهکایرال ساختاری شبه همسانگرد که در آن نانو ذرات نقره به طور تصادفی در محیط کایرال پراکنده شده اند، ساخته شده است. نتایج نشان می دهد که در غیاب میدان الکتریکی بابسامدپایین، ساختار هیچ گاف باند فوتونی ندارد وجابه جایی جانبی نور بازتابیده از این ساختار بسیار ناچیز است. با اعمال میدان الکتریکی بابسامدپایین یک گاف باند فوتونی در طیف عبور ساختارظاهر می شود که تنها از انتشار امواج قطبیده دایروی راستگرد جلوگیری می کند. در لبه های این گاف باند،جابه جایی های جانبی مثبت و منفی بزرگی مشاهده می شود. در این مقاله از خواص فوق الذکر برای طراحی سوییچهای الکترواپتیکی استفاده شده است. همچنین نشان داده شده است که این جابه جایی های جانبی با تغییر زاویهتابش نور، کسر پرشوندگی نانو ذرات فلزی و ضخامت بره قابل کنترل است.