در این مقاله اثر پتانسیل شیمیایی در تنظیم پذیری تیغه های نیم موج مبتنی بر فرامواد هایپربولیک گرافن پایه در یک ساختار لایه ای بررسی شده است. محیط مورد نظر یک ساختار دو لایه ای متشکل از لایه دی الکتریک همسانگرد و لایه فرامواد هایپربولیک گرافن پایه است. بررسی انتشار امواج الکترومغناطیسی تحت تابش مایل نشان دهنده ایجاد یک گاف باند فوتونی وابسته به قطبش در محدوده فرکانس ای تراهرتز است که پهنای آن با تغییر پتانسیل شیمیایی تغییر می کند. سپس، تاثیر پتانسیل شیمیایی گرافن در اختلاف فاز بین دو موج عبوری با قطبش الکتریکی عرضی(TE) و قطبش مغناطیسی عرضی(TM) بررسی شده است. نتایج نشان می دهد که در مقادیر پایین پتانسیل شیمیایی گرافن، در سه ناحیه فرکانسی مختلف اختلاف فاز به اندازه𝝅 رادیان ایجاد شده است که نشان دهنده قابلیت استفاده از این ساختار برای طراحی تیغه نیم موج در فرکانس های مذکور است. همچنین نشان داده شده است که فرکانس کاری این تیغه های موج با تغییر پتانسیل شیمیایی گرافن قابل کنترل است.
