در این پژوهش، بلورهای فوتونی یک‌بعدی حاوی فرامواد تمام‌دی‌الکتریک بیضوی طراحی و تحلیل شده‌اند تا خواص اپتیکی این ساختارها در محدوده طول موج فروسرخ نزدیک بررسی گردد. ابتدا دو بلور فوتونی مستقل با گاف‌های باند فوتونی مجزا در محدوده‌های مختلف طیفی طراحی شدند، سپس با ترکیب آنها، یک گاف باند فوتونی اپتیکی بسیار بزرگ به دست آمد که تمام سو بوده و پهنای گاف باند آن به ۱.۰۰۴ میکرومتر رسید. برای بهبود عملکرد اپتیکی این ساختارها، نقش لایه نقص حاوی فرامواد تمام‌دی‌الکتریک بیضوی در بلورهای فوتونی مورد بررسی قرار گرفت. تحلیل طیفی نشان داد که حضور لایه نقص، امکان ایجاد و تنظیم مدهای نقص را فراهم کرده و تأثیر قابل توجهی بر خواص انتقالی بلورهای فوتونی دارد. این ویژگی پتانسیل بالایی برای طراحی فیلترهای نوری دقیق و حسگرهای اپتیکی با حساسیت بالا ایجاد می‌کند. نتایج حاصل از این پژوهش نشان می‌دهد که استفاده از فرامواد تمام‌دی‌الکتریک در ساختارهای بلورهای فوتونی نه تنها منجر به گاف‌های باند وسیع‌تر و پایدارتر می‌شود، بلکه در بهینه‌سازی طراحی دستگاه‌های اپتیکی مانند آینه‌های باند وسیع و تمام‌سویه، حسگرهای نوری و سیستم‌های تصویربرداری نقش مهمی دارد. این تحقیق با ارائه رویکردی نوین برای تلفیق فرامواد در بلورهای فوتونی، مسیر مناسبی برای توسعه فناوری‌های اپتیکی پیشرفته فراهم کرده و چشم‌اندازهای تازه‌ای در حوزه فوتونیک نوین ایجاد می‌کند.
