امیر مدنی

ر این مقاله ابتدا خواص تراگسیل بلور فوتونی یک بعدی حاوی تک لایه های مولیبدن دی سولفاید مورد بررسی قرار گرفته است. بلور فوتونی معرفی شده متشکل است که بصورت تناوبی توسط لایه های دی الکتریک از هم جدا شده اند. نتایج به دست آمده به روش ماتریس انتقال حاکی از وجود گاف MoS از نانو لایه های 2 در ناحیه فرکانسی مرئی و فرابنفش نزدیک است. در ادامه به تنظیم پذیری گاف فوتونی به وسیله تغییرات ولتاژ پرداخته شده است که MoS باند القایی توسط 2 شده است. در پایان با در نظر گرفتن لایه MoS اعمال ولتاژ باعث کاهش ضریب گذردهی الکتریکی و ناپدید شدن یکی از گاف های فوتونی ایجاد شده توسط 2 نقص در مرکز بلور فوتونی به بررسی مدهای نقص در گاف براگ پرداخته شده است که نتایج نشانگر قابلیت تنظیم مدهای نقص توسط تغییر ضخامت لایه نقص در ناحیه مرئی است