در این مقاله انتشار تپ نوری در داخل بلورفوتونی یکبعدی به روش ماتریس انتقال مورد بررسی قرار گرفته است. نشان داده شده است سرعتگروه تپ نوری به پارامترهایی چون: زاویه فرود، ضخامت لایه نقص و بویژه سیستم اتمی آلائیده شده در لایه نقص بستگی دارد. نتایج نشان میدهد که انتشار تپ نوری برای هر دو قطبش TM و TE در داخل بلورفوتون ی ی کبعد ی با پاشندگ هیلا ی نقص تحت تاث ری قرار م یگ ی . رد همچنین نشان داده شده است که با تنظیم زاویه فرود تب نوری انتشار تپ نوری در داخل بلور فوتونی قابل کنترل است
