در سامانههای لایهای، آلایش یک لایه به اتمهای ناخالصی روش مؤثر در کنترل انتشار نور است. در این روش، یک برهی دیالکتریک یا یک لایه نقص بلور فوتونی یکبعدی با تزریق اتمهای ناخال صی به محیط پا شنده تبدیل می شود. نحوه انت شار تپ نوری در این سامانهها با در نظر گرفتن پذیرفتاری خطی محیط برر سی شده ا ست. در این پایاننامه، اثر آلایش اتمهای سههه-ترازی در یک لایه، با در نظر گرفتن پذیرفتاری خطی و غیرخطی، در یک برهی دیالکتریک و بلور فوتونی یکبعدی مورد بررسی قرار میگیرد. در این سامانهها، اثر شدت میدان تزویج کننده، فاز نسههبی میدان تزویجکننده با میدان کاوشههگر، دمش ناهمدو ، و تداخل کوانتومی بر پذیرفتاری خطی و غیرخطی بررسهی میشهود. بنابراین میزان جذب خطی، جذب غیرخطی مرتبه سهوّم، پاشهندگی مرتبه اوّل، و پاشهندگی مرتبه سههوم(اثر کر) با تحلیل بیشههتر مورد بحث قرار میگیرد. نتایج نشههان میدهند که در یک برهی دیالکتریک و بلور فوتونی یکبعدی، آلایش اتمهای سههه-ترازی نهتنها آسههتانه رسههیدن به غیرخطیت کر را کاهش میدهد، بلکه تا حدودی غیرخطیت کر بالایی تولید میکند. همچنین، بررسی ما نشان میدهد ضریب غیرخطیت کر نقش اساسی در انتشار نور در این سامانهها ایفا میکند
