در مقاله حاضر، مشخصه جریان-ولتاژ یک دیواره مغناطیسی 7π رادیان ایجاد شده در میان دو نانوسیم از جنس نیمرسانای مغناطیسی نوع �� با قطبش اسپینی بسیار باال در دمای معین �� مطالعه و بررسی شده است. در این راستا، احتمال عبور و بازتاب حاملها از دیواره 7π رادیان با حل معادالت جفت شده شرودینگر برای مؤلفههای تابع موج اسپینی با اسپین باال و پائین تعیین شده و چگالی جریان بار و چگالی جریان اسپینی برحسب آنها بهدست آمده است. در مطالعه رفتار اسپین-دیودی دیواره مغناطیسی نشان داده شده است که آستانه ولتاژ شروع بهکار دیود با عریضتر شدن دیواره افزایش مییابد. همچنین، وابستگی غیرخطی قطبش اسپینی به ولتاژ اعمالی بهمنظور کاربرد در ترانزیستورهای اسپینی تعیین گردیده است.
