ترابرد نظری از یک دیواره مغناطیسی سنجاق شده در یک نانوتنگش ایجاد شده در نانوسیمهای Ga,MnAs در حضور برهمکنشهای اسپین-مدار راشبا و درسلهاوس مورد بررسی قرار گرفته است. مؤلفههای آدیاباتیک و غیرآدیاباتیک گشتاور اسپینی که بر حسب گرادیان چگالی جریان اسپینی بیان می شوند، محاسبه شده است. یک رفتار نوسانی در گشتاور انتقال اسپینی به دلیل بازتابهای شدید در دیواره ای تیز با گرادیان مغناطش بزرگ مشاهده گردیده است. نشان داده شده است که شدت نوسانات برای گشتاور اسپینی غیرآدیاباتیک با مقدار منفی پارامتر راشبا α_x افزایش یافته، در حالی که با افزایش مقادیر مثبت α_x رفتار کاهشی دارد. با این حال، گشتاور اسپینی غیرآدیاباتیک با مقدار |α_y | ،بدون توجه به علامت آن، افزایش می یابد. بعلاوه، کوپلاژ درسلهاوس β به طور قابل ملاحظه ای نمی تواند مؤلفه z گشتاور اسپینی را تغییر دهند، در حالی که دو مؤلفه دیگر به طور موثرتری توسط برهمکنش اسپین-مدار درسلهاوس تغییر می یابند.
