پراکندگی اسپینی حامل ها از دیواره های مغناطیسی در سیستم های مغناطیسی ناهمراستا یکی از عوامل مؤثر در تولید مقاومت مغناطیسی محسوب می شود. در اثر پراکندگی اسپینی، چگالی اسپینی غیرتعادلی (انباشت اسپینی) نیز در دیواره و اطراف آن شکل می گیرد که به نوبه خود می تواند باعث افت ولتاژ اضافی در سیستم شود. کاهش طول دیواره مغناطیسی در رژیم ترابردی بالیستیک موجب شکل گیری انباشت اسپینی طولی علاوه بر انباشت اسپینی عرضی می شود که می تواند نقش بسزایی در تولید مقاومت مغناطیسی بزرگ ایفا داشته باشد. برای اثبات این موضوع، مقاومت مغناطیسی بالیستیک دیواره مغناطیسی باریک واقع در یک نانواتصال بین دو نانوسیم نیمرسانای مغناطیسی نوع p با استفاده از رهیافت لانداور- بوتیکر مورد مطالعه قرار می گیرد. خاصیت عبوری حالت های همدوس، با معرفی یک تکنیک جدید برای حل معادله شرودینگر جفت شده بین دو کانال اسپینی با شرایط مرزی، بدست می آید. علاوه بر این، تراکم اسپینی انباشته شده به طور موضعی در طول نانوسیم ناشی از تزریق جریان اسپینی در نانواتصال، به طور عددی محاسبه می گردد. نشان داده می شود که افت ولتاژ القایی در دیواره مغناطیسی بدلیل انباشت اسپینی طولی به طور قابل توجهی در رژیم بالستیک افزایش می یابد.
