ترابرد نظری از یک دیواره مغناطیسی سنجاق شده در یک نانوتنگش ایجاد شده در نانوسیمهای (Ga,Mn)As در حضور برهمکنشهای اسپین-مدار راشبا و درسلهاوس مورد بررسی قرار گرفته است. چگالی اسپینی غیرتعادلی موضعی القائی در اثر تزریق جریان الکتریکی در نانوتنگش در راستای نانوسیم به صورت عددی محاسبه شده است. مؤلفه های آدیاباتیک و غیرآدیاباتیک گشتاور اسپینی که بر حسب گرادیان چگالی جریان اسپینی بیان می شوند، محاسبه شده است. یک رفتار نوسانی در گشتاور انتقال اسپینی به دلیل بازتابهای شدید در دیواره ای تیز با گرادیان مغناطش بزرگ مشاهده گردیده است. نشان داده شده است که شدت نوسانات برای گشتاور اسپینی غیرآدیاباتیک با مقدار منفی پارامتر راشبا \alpha_x افزایش یافته، در حالی که با افزایش مقادیر مثبت\alpha_x رفتار کاهشی دارد. با این حال، گشتاور اسپینی غیرآدیاباتیک با مقدار|\alpha_y |، بدون توجه به علامت آن، افزایش می یابد. بعلاوه، کوپلاژ درسلهاوس \beta به طور قابل ملاحظه ای نمی تواند مؤلفه $z$ گشتاور اسپینی را تغییر دهند، در حالی که دو مؤلفه دیگر به طور موثرتری توسط برهمکنش اسپین-مدار درسلهاوس تغییر می یابند.
