در سامانه های لایه ای، آلایش یک لایه به اتم های ناخالصی روش مؤثر در کنترل انتشار نور است. در این روش، یک بره ی دی الکتریک یا یک لایه نقص بلور فوتونی یک بعدی با تزریق اتم های ناخالصی به محیط پاشنده تبدیل می شود. نحوه انتشار تپ نوری در این سامانه ها با در نظر گرفتن پذیرفتاری خطی محیط بررسی شده است. در این پایان نامه، اثر آلایش اتم های سه-ترازی در یک لایه، با در نظر گرفتن پذیرفتاری خطی و غیرخطی، در یک بره ی دی الکتریک و بلور فوتونی یک بعدی مورد بررسی قرار می گیرد. در این سامانه ها، اثر شدت میدان تزویج کننده، فاز نسبی میدان تزویج کننده با میدان کاوشگر، دمش ناهمدوس، و تداخل کوانتومی بر پذیرفتاری خطی و غیرخطی بررسی می شود. بنابراین میزان جذب خطی، جذب غیرخطی مرتبه سوّم، پاشندگی مرتبه اوّل، و پاشندگی مرتبه سوم(اثر کر) با تحلیل بیشتر مورد بحث قرار می گیرد. نتایج نشان می دهند که در یک بره ی دی الکتریک و بلور فوتونی یک بعدی، آلایش اتم های سه-ترازی نه تنها آستانه رسیدن به غیرخطیت کر را کاهش می دهد، بلکه تا حدودی غیرخطیت کر بالایی تولید می کند. همچنین، بررسی ما نشان می دهد ضریب غیرخطیت کر نقش اساسی در انتشار نور در این سامانه ها ایفا می کند.
