عنوان
|
ساختار باند برحسب مرتبه های مختلف سری فیبوناچی در شبه بلور فوتونی یک (MoS بعدی حاوی تک لایه های مولیبدن دی سولفاید ( 2
|
نوع پژوهش
|
مقاله ارائه شده
|
کلیدواژهها
|
-
|
چکیده
|
چکیده –دراین مقاله ساختار باند و خواص تراگسیل شبه بلور فوتونی یک بعدی حاوی تک لایه های 2 برای مرتبه های مختلف سری فیبوناچی مورد مطالعه قرار گرفته است. ابتدا به معرفی سری فیبوناچی و نحوه آرایش لایه های دی پرداخته شده است. در ادامه طیف تراگسیل ساختار با استفاده از روش ماتریس انتقال برای مرتب ه MoS الکتریک و نانو لایه های 2 مورد بررسی قرار گرفته است. در پایان ساختار باند و گاف فوتونی برای TM و TE 4 و 5 سری فیبوناچی برای دو قطبش ، های 3 باعث ایجاد گاف شده است و همچنین MoS مرتبه های اشاره شده در ناحیه مرئی و فرا بنفش نزدیک بررسی شده است که حضور 2 با افزایش مرتبه سری فیبوناچی انتقال گاف به فرکانس های بالاتر رخ می دهد.
|
پژوهشگران
|
امیر مدنی (نفر دوم)، صمد روشن انتظار (نفر سوم)، میثم شیری (نفر اول)
|